第三代半导体系列报告之二:政策红利衬底破局

发布时间:2021年07月21日
第三代半导体系列报告之二政策红利衬底破局第三代半导体大势所趋,新能源汽车为其带来巨大增量第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化,GaN,在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。新能源汽车为SiC的最重要下游领域,主要应用包括主驱逆变器、DCDC转换器、车载充电机和充电桩等,根据Yole数据,Sic功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金,CAGR约51%。国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节,包括难度最大的衬底长晶环节,自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节,第三代半导体全产业链布局,可完全自主可控。...
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